Samsung переводит производство памяти на 30-нм техпроцессОдин из крупнейших поставщиков оперативной памяти компания Samsung Electronics приступила к массовому переводу производства памяти Green DDR3 DRAM, обладающей плотностью 2 Гбит на технологические нормы 30-нм класса.
Благодаря своей производительности и энергоэффективности новая память Samsung Green DDR3 DRAM может найти применение в мощных серверных системах следующего поколения, оптимизированных для популярных сегодня «облачных» вычислений и решения задач, связанных с виртуализацией.
Отметим, что при напряжении питания 1.35 вольта память Green DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит способна работать на частоте 1866 МГц, а при аналогичном показателе в 1.5 вольта – на частоте 2133 МГц. Подобные характеристики делают данную память пригодной для использования не только в серверах, но и в широком спектре настольных компьютеров, ноутбуков, нетбуков и мобильных устройств. Кроме того, в планах Samsung значится выпуск к концу текущего года памяти DDR3 DRAM плотностью 4 Гбит с использованием той же 30-нм технологии.
